快速退火炉（Rapid Thermal Processing，RTP）采用红外辐射加热技术，可实现样品的快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到极佳的温场均匀性，适用工艺包括和离子注入工艺结合使用以实现晶圆掺杂、金属薄膜沉积后金属硅化物烧结、晶圆表面改性（氧化、氮化）等。
芯片的制造过程可以分为前道工艺和后道工艺。前道是指晶圆制造厂的加工过程，在空白的硅片上完成电路的加工，出厂产品是完整的圆形硅片。后道是指封装和测试的过程，在封测厂中将圆形的硅片切割成单独的芯片颗粒，完成外壳的封装，最后完成终端测试，出厂为芯片成品。
集成电路前道芯片制造工艺热处理流程
在前道工艺的离子注入过程中，高能掺杂物离子（硼、磷等）会对晶圆表面的硅晶体结构造成破坏。所以在离子注入后必须利用加热退火工艺对晶格的损伤进行修复，使其恢复单晶结构并激活掺杂物，当掺杂原子在单晶晶格位置时，才能有效提供电子或空穴作为传导电流的主要载流子。
因此，快速退火炉在半导体工艺设备中是不可或缺的一员。虽然快速退火炉属于相对技术难度较低的领域，但在早期的市场竞争中，还是被欧美日韩等外国企业占据了主导地位。尤其是高端的快速退火炉，国内科研单位和高等院校的使用需求往往被外国企业苛刻的条件和高昂的价格所限制。
以美国为首的西方国家对中国的限制打击由来已久，96年签订的《瓦森纳协议》已成为主要针对中国并实行“落差战略”的可怕武器。这也是导致中国著名的“908工程”和“909工程”的未能达到预期的目标。现今中国因为缺少原创技术，高端技术装备也被层层加锁。尤其是半导体行业，由于某些高端的半导体设备的限制入口，中国高端集成电路（芯片）严重依赖进口。根据国家统计局数据显示，2021年，我国进口的集成电路（芯片），达到27935亿元！而且增速达到了15.4%！
2015年3月5日，李克强在全国两会上作《政府工作报告》时首次提出“中国制造2025”的宏大计划。2015年3月25日，李克强组织召开国务院常务会议，部署加快推进实施“中国制造2025”，实现制造业升级。也正是这次国务院常务会议，审议通过了《中国制造2025》。2015年5月19日，国务院正式印发《中国制造2025》。
中国制造2025
《中国制造2025》的目的是改变我国从低端制造商到高端生产商的认知，改变我国工业水平大而不强的局面，减少中国对外国技术的依赖，最终推动中国技术制造商进入全球市场。正是在此国家行动纲领下，中国的国产化浪潮迎来了爆发期。而国内快速退火炉领域的制造商也如雨后春笋，突破了欧美日等企业的压制，推出了赶超外国品牌的产品。这些自主研发制造的快速退火炉已经广泛应用于国内各大高校和科院院所，实现了“国产替代”目标！
应用广泛的国产快速退火炉
但国产退火炉想要进入全球市场还有很长的路要走！尤其是欧美等国企业并没有放弃对中国技术制造商的围追堵截！这些企业的手段也颇有用心！当某种设备或产品无法国产时，他们往往会以较贵的价格对华出售！这样不仅能赚取大量的利润，而且可以打击某些研发者或决策者的信念！既然能用钱买到，又何必花大量的精力和金钱去研发制造？
而当我们花费大量精力和金钱研发制造出这种设备或产品时，由于技术的积累和领先，欧美等国企业会马上以极低的价格进行倾销，并适时推出性能参数领先新款设备或产品！这往往导致国内自主研发企业血本无归甚至破产倒闭！这种情况，在半导体制造等高科技领域极其常见！如果没有国家的政策和资金支持，这些手段国内几乎没有任何企业能承受！
当雪崩发生时，没有一片雪花是无辜的！而当火箭一飞冲天时，没有一个零件是无用的！完成“中国制造2025”的目标，不仅需要我国技术制造商迎难而上，挺身打破西方封锁，而且也需要我国广大用户的大力支持！目前，国内优秀的快速退火炉制造商，如屹唐半导体、武汉嘉仪通科技等，已经完成了或即将完成快速退火炉系类产品的布局，这些设备的性能不仅可以媲美洋货，而且在某些技术参数上已经领先于它们！
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